Diodes Incorporated - DMN10H700S-7

KEY Part #: K6394661

DMN10H700S-7 Priser (USD) [1041905stk Lager]

  • 1 pcs$0.03550
  • 3,000 pcs$0.03254

Delnummer:
DMN10H700S-7
Produsent:
Diodes Incorporated
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Dioder - likerettere - singel, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - IGBT-er - singel, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Transistorer - JFET-er and Transistorer - spesialformål ...
Konkurransefordel:
We specialize in Diodes Incorporated DMN10H700S-7 electronic components. DMN10H700S-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN10H700S-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN10H700S-7 Produktegenskaper

Delnummer : DMN10H700S-7
Produsent : Diodes Incorporated
Beskrivelse : MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23
Serie : Automotive, AEC-Q101
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 100V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 700mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 700 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 4.6nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 235pF @ 50V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 400mW (Ta)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : SOT-23
Pakke / sak : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3