Diodes Incorporated - DMN67D8L-13

KEY Part #: K6394809

DMN67D8L-13 Priser (USD) [2952064stk Lager]

  • 1 pcs$0.01253
  • 10,000 pcs$0.01131

Delnummer:
DMN67D8L-13
Produsent:
Diodes Incorporated
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Dioder - RF, Dioder - likerettere - singel and Dioder - likerettere - matriser ...
Konkurransefordel:
We specialize in Diodes Incorporated DMN67D8L-13 electronic components. DMN67D8L-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN67D8L-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN67D8L-13 Produktegenskaper

Delnummer : DMN67D8L-13
Produsent : Diodes Incorporated
Beskrivelse : MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 60V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 210mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 0.82nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 22pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 340mW (Ta)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : SOT-23
Pakke / sak : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3