Global Power Technologies Group - GP2M002A065PG

KEY Part #: K6402662

[2627stk Lager]


    Delnummer:
    GP2M002A065PG
    Produsent:
    Global Power Technologies Group
    Detaljert beskrivelse:
    MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    På lager
    Holdbarhet:
    Ett år
    Brikke fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåte:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - likerettere - singel, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - IGBT-er - singel, Power Driver-moduler, Tyristorer - SCR-er - moduler, Tyristorer - TRIAC and Transistorer - FET, MOSFET - En ...
    Konkurransefordel:
    We specialize in Global Power Technologies Group GP2M002A065PG electronic components. GP2M002A065PG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP2M002A065PG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GP2M002A065PG Produktegenskaper

    Delnummer : GP2M002A065PG
    Produsent : Global Power Technologies Group
    Beskrivelse : MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
    Serie : -
    Delstatus : Obsolete
    FET Type : N-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenering til kildespenning (Vdss) : 650V
    Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 1.8A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, vgs : 4.6 Ohm @ 900mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 8.5nC @ 10V
    Vgs (maks) : ±30V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 353pF @ 25V
    FET-funksjon : -
    Effektdissipasjon (maks) : 52W (Tc)
    Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Monteringstype : Through Hole
    Leverandørenhetspakke : I-PAK
    Pakke / sak : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

    Du kan også være interessert i
    • BS170PSTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • GP2M005A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK.

    • GP2M005A050CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK.

    • GP1M016A025CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 250V 16A DPAK.

    • GP1M008A050CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.

    • GP1M007A065CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK.