Vishay Siliconix - SIHB30N60E-GE3

KEY Part #: K6416321

SIHB30N60E-GE3 Priser (USD) [13494stk Lager]

  • 1 pcs$3.05405
  • 1,000 pcs$1.47952

Delnummer:
SIHB30N60E-GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Zener - Arrays, Power Driver-moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Tyristorer - TRIAC, Transistorer - IGBT-er - singel, Transistorer - IGBT-er - moduler, Tyristorer - SCR and Tyristorer - DIAC, SIDAC ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SIHB30N60E-GE3 electronic components. SIHB30N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB30N60E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB30N60E-GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SIHB30N60E-GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 600V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 29A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 125 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 2600pF @ 100V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 250W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : D2PAK
Pakke / sak : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB