Vishay Siliconix - SIB441EDK-T1-GE3

KEY Part #: K6417164

SIB441EDK-T1-GE3 Priser (USD) [518123stk Lager]

  • 1 pcs$0.07139
  • 3,000 pcs$0.06743

Delnummer:
SIB441EDK-T1-GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6L.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - likerettere - singel, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - JFET-er, Transistorer - FET, MOSFET - En, Dioder - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Transistorer - FET, MOSFET - RF and Dioder - Zener - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SIB441EDK-T1-GE3 electronic components. SIB441EDK-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIB441EDK-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIB441EDK-T1-GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SIB441EDK-T1-GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6L
Serie : TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : P-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 12V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 25.5 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 8V
Vgs (maks) : ±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1180pF @ 6V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PowerPAK® SC-75-6L Single
Pakke / sak : PowerPAK® SC-75-6L