Alliance Memory, Inc. - AS6C4008-55ZIN

KEY Part #: K939399

AS6C4008-55ZIN Priser (USD) [24994stk Lager]

  • 1 pcs$1.83331
  • 10 pcs$1.66320
  • 25 pcs$1.62689
  • 50 pcs$1.61790
  • 100 pcs$1.45096
  • 250 pcs$1.44553
  • 500 pcs$1.39230
  • 1,000 pcs$1.32372

Delnummer:
AS6C4008-55ZIN
Produsent:
Alliance Memory, Inc.
Detaljert beskrivelse:
IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II. SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: PMIC - Belysning, ballastkontrollere, Grensesnitt - Signalterminatorer, PMIC - Spenningsregulatorer - DC DC-bryterkontroll, Grensesnitt - Kontrollere, PMIC - Strømforsyningskontrollere, skjermer, PMIC - Termisk styring, PMIC - Spenningsregulatorer - Lineær and Grensesnitt - Kodere, dekodere, omformere ...
Konkurransefordel:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS6C4008-55ZIN electronic components. AS6C4008-55ZIN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS6C4008-55ZIN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS6C4008-55ZIN Produktegenskaper

Delnummer : AS6C4008-55ZIN
Produsent : Alliance Memory, Inc.
Beskrivelse : IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II
Serie : -
Delstatus : Active
Minnetype : Volatile
Minneformat : SRAM
Teknologi : SRAM - Asynchronous
Minnestørrelse : 4Mb (512K x 8)
Klokkefrekvens : -
Skriv syklustid - Word, Page : 55ns
Tilgangstid : 55ns
Minne-grensesnitt : Parallel
Spenning - forsyning : 2.7V ~ 5.5V
Driftstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / sak : 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Leverandørenhetspakke : 32-TSOP II

Du kan også være interessert i
  • CAV25M01YE-GT3

    ON Semiconductor

    IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.