Delnummer :
IPL65R660E6AUMA1
Produsent :
Infineon Technologies
Beskrivelse :
MOSFET N-CH 4VSON
Teknologi :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) :
650V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C :
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, vgs :
660 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 200µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
440pF @ 100V
Effektdissipasjon (maks) :
63W (Tc)
Driftstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype :
Surface Mount
Leverandørenhetspakke :
Thin-Pak (8x8)
Pakke / sak :
4-PowerTSFN