Produsent :
Infineon Technologies
Beskrivelse :
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC
Teknologi :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) :
30V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C :
4.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs :
62 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs :
34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
710pF @ 25V
FET-funksjon :
Schottky Diode (Isolated)
Effektdissipasjon (maks) :
2W (Ta)
Driftstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype :
Surface Mount
Leverandørenhetspakke :
8-SO
Pakke / sak :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)