Vishay Siliconix - SI4491EDY-T1-GE3

KEY Part #: K6420513

SI4491EDY-T1-GE3 Priser (USD) [203660stk Lager]

  • 1 pcs$0.18161
  • 2,500 pcs$0.17054

Delnummer:
SI4491EDY-T1-GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-SO.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - SCR, Transistorer - programmerbar enhet, Dioder - Bridge likerettere, Dioder - Zener - Arrays, Dioder - likerettere - singel, Dioder - likerettere - matriser, Power Driver-moduler and Transistorer - IGBT-er - singel ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SI4491EDY-T1-GE3 electronic components. SI4491EDY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4491EDY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4491EDY-T1-GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SI4491EDY-T1-GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-SO
Serie : TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : P-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 17.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 6.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 153nC @ 10V
Vgs (maks) : ±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 4620pF @ 15V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 3.1W (Ta), 6.9W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : 8-SO
Pakke / sak : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)