Microchip Technology - VP3203N3-G

KEY Part #: K6398792

VP3203N3-G Priser (USD) [66326stk Lager]

  • 1 pcs$0.60206
  • 25 pcs$0.50055
  • 100 pcs$0.45657

Delnummer:
VP3203N3-G
Produsent:
Microchip Technology
Detaljert beskrivelse:
MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Dioder - likerettere - singel, Transistorer - spesialformål, Dioder - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - IGBT-er - Arrays and Dioder - Zener - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in Microchip Technology VP3203N3-G electronic components. VP3203N3-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VP3203N3-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VP3203N3-G Produktegenskaper

Delnummer : VP3203N3-G
Produsent : Microchip Technology
Beskrivelse : MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : P-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 650mA (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 10mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 740mW (Ta)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-92-3
Pakke / sak : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)