IXYS - IXFN32N100Q3

KEY Part #: K6393198

IXFN32N100Q3 Priser (USD) [2054stk Lager]

  • 1 pcs$24.24912
  • 10 pcs$22.67483
  • 100 pcs$19.66014

Delnummer:
IXFN32N100Q3
Produsent:
IXYS
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - spesialformål, Dioder - Bridge likerettere, Dioder - likerettere - matriser, Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Dioder - Zener - Singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF and Dioder - Zener - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in IXYS IXFN32N100Q3 electronic components. IXFN32N100Q3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN32N100Q3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN32N100Q3 Produktegenskaper

Delnummer : IXFN32N100Q3
Produsent : IXYS
Beskrivelse : MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227
Serie : HiPerFET™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 1000V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 28A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 320 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 8mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 195nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 9940pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 780W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Chassis Mount
Leverandørenhetspakke : SOT-227B
Pakke / sak : SOT-227-4, miniBLOC