Vishay Siliconix - IRFB11N50A

KEY Part #: K6414163

[8383stk Lager]


    Delnummer:
    IRFB11N50A
    Produsent:
    Vishay Siliconix
    Detaljert beskrivelse:
    MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    På lager
    Holdbarhet:
    Ett år
    Brikke fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåte:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Dioder - Bridge likerettere, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - FET, MOSFET - En, Dioder - Zener - Singel and Tyristorer - SCR-er - moduler ...
    Konkurransefordel:
    We specialize in Vishay Siliconix IRFB11N50A electronic components. IRFB11N50A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFB11N50A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFB11N50A Produktegenskaper

    Delnummer : IRFB11N50A
    Produsent : Vishay Siliconix
    Beskrivelse : MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB
    Serie : -
    Delstatus : Obsolete
    FET Type : N-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenering til kildespenning (Vdss) : 500V
    Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, vgs : 520 mOhm @ 6.6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 52nC @ 10V
    Vgs (maks) : ±30V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1423pF @ 25V
    FET-funksjon : -
    Effektdissipasjon (maks) : 170W (Tc)
    Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Monteringstype : Through Hole
    Leverandørenhetspakke : TO-220AB
    Pakke / sak : TO-220-3