Toshiba Memory America, Inc. - TH58BYG2S3HBAI6

KEY Part #: K937444

TH58BYG2S3HBAI6 Priser (USD) [16879stk Lager]

  • 1 pcs$2.25638
  • 10 pcs$2.04661
  • 25 pcs$2.00236
  • 50 pcs$1.99126

Delnummer:
TH58BYG2S3HBAI6
Produsent:
Toshiba Memory America, Inc.
Detaljert beskrivelse:
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Lineære - Forsterkere - Videoforsterkere og module, PMIC - Hot Swap-kontrollere, Clock / Timing - Programmerbare tidtakere og oscil, PMIC - Power Management - Specialized, Innebygd - Mikrokontrollere - Programspesifikk, Logikk - Multivibratorer, Logikk - sperrer and PMIC - Spenningsregulatorer - Lineær ...
Konkurransefordel:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TH58BYG2S3HBAI6 electronic components. TH58BYG2S3HBAI6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TH58BYG2S3HBAI6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TH58BYG2S3HBAI6 Produktegenskaper

Delnummer : TH58BYG2S3HBAI6
Produsent : Toshiba Memory America, Inc.
Beskrivelse : IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Serie : Benand™
Delstatus : Active
Minnetype : Non-Volatile
Minneformat : FLASH
Teknologi : FLASH - NAND (SLC)
Minnestørrelse : 4Gb (512M x 8)
Klokkefrekvens : -
Skriv syklustid - Word, Page : 25ns
Tilgangstid : 25ns
Minne-grensesnitt : Parallel
Spenning - forsyning : 1.7V ~ 1.95V
Driftstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / sak : 67-VFBGA
Leverandørenhetspakke : 67-VFBGA (6.5x8)

Du kan også være interessert i
  • MB85RS2MTAPH-G-JNE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP.

  • AT28BV256-20SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28C256-15SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • 71321SA55JG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC. SRAM 2KX8 DUAL PORT MSTR W/INT

  • S25FS512SDSNFV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M SPI 80MHZ. NOR Flash Nor