Infineon Technologies - BSZ0910NDXTMA1

KEY Part #: K6525289

BSZ0910NDXTMA1 Priser (USD) [171885stk Lager]

  • 1 pcs$0.21519

Delnummer:
BSZ0910NDXTMA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
DIFFERENTIATED MOSFETS.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - SCR, Dioder - Zener - Singel, Transistorer - spesialformål, Transistorer - FET, MOSFET - En, Power Driver-moduler, Dioder - likerettere - matriser, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk and Transistorer - IGBT-er - moduler ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies BSZ0910NDXTMA1 electronic components. BSZ0910NDXTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSZ0910NDXTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ0910NDXTMA1 Produktegenskaper

Delnummer : BSZ0910NDXTMA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : DIFFERENTIATED MOSFETS
Serie : OptiMOS™
Delstatus : Active
FET Type : 2 N-Channel (Dual)
FET-funksjon : Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 9.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, vgs : 9.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 5.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 800pF @ 15V
Kraft - Maks : 1.9W (Ta), 31W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / sak : 8-PowerVDFN
Leverandørenhetspakke : PG-WISON-8