Vishay Siliconix - SQJ412EP-T1_GE3

KEY Part #: K6418722

SQJ412EP-T1_GE3 Priser (USD) [74217stk Lager]

  • 1 pcs$0.52684
  • 3,000 pcs$0.44424

Delnummer:
SQJ412EP-T1_GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - likerettere - singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Dioder - Zener - Singel, Tyristorer - SCR-er - moduler, Dioder - Zener - Arrays, Tyristorer - TRIAC and Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SQJ412EP-T1_GE3 electronic components. SQJ412EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ412EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ412EP-T1_GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SQJ412EP-T1_GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 40V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 32A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 4.1 mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 5950pF @ 20V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 83W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PowerPAK® SO-8
Pakke / sak : PowerPAK® SO-8