Microsemi Corporation - JAN1N1206A

KEY Part #: K6445535

Detaljert beskrivelse:: DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA. Rectifiers Rectifier

Familiekategorier:: KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - SCR-er - moduler, Transistorer - spesialformål, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Dioder - Zener - Singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Dioder - Bridge likerettere, Transistorer - IGBT-er - singel and Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays ...

Konkurransefordel:: We specialize in Microsemi Corporation JAN1N1206A electronic components. JAN1N1206A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N1206A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Delnummer : JAN1N1206A

Produsent : Microsemi Corporation

Beskrivelse : DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA

Serie : Military, MIL-PRF-19500/260

Delstatus : Active

Diodetype : Standard

Spenning - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V

Nåværende - Gjennomsnittlig rettet (Io) : 12A

Spenning - Fremover (Vf) (Maks) @ Hvis : 1.35V @ 38A

Hastighet : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Omvendt gjenopprettingstid (trr) : -

Nåværende - Omvendt lekkasje @ Vr : 5µA @ 600V

Capacitance @ Vr, F : -

Monteringstype : Chassis, Stud Mount

Pakke / sak : DO-203AA, DO-4, Stud

Leverandørenhetspakke : DO-203AA (DO-4)

Driftstemperatur - veikryss : -65°C ~ 150°C

Du kan også være interessert i

C2D05120E

Cree/Wolfspeed

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.
VS-20ETF04FPPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.
BAT54WH6327XTSA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.
IDB23E60ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.
IDB12E120ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.
IDB45E60ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.