ON Semiconductor - FDD86369

KEY Part #: K6397240

FDD86369 Priser (USD) [127205stk Lager]

  • 1 pcs$0.29077

Delnummer:
FDD86369
Produsent:
ON Semiconductor
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CHANNEL 80V 90A TO252.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Dioder - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Tyristorer - TRIAC and Transistorer - FET, MOSFET - En ...
Konkurransefordel:
We specialize in ON Semiconductor FDD86369 electronic components. FDD86369 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD86369, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD86369 Produktegenskaper

Delnummer : FDD86369
Produsent : ON Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET N-CHANNEL 80V 90A TO252
Serie : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 80V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 7.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 54nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 2530pF @ 40V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 150W (Tj)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : D-PAK (TO-252)
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63