Vishay Siliconix - SI1427EDH-T1-GE3

KEY Part #: K6421516

SI1427EDH-T1-GE3 Priser (USD) [697660stk Lager]

  • 1 pcs$0.05302
  • 3,000 pcs$0.05025

Delnummer:
SI1427EDH-T1-GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET P-CH 20V 2A SOT-363.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Power Driver-moduler, Dioder - RF, Tyristorer - TRIAC and Transistorer - spesialformål ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SI1427EDH-T1-GE3 electronic components. SI1427EDH-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1427EDH-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1427EDH-T1-GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SI1427EDH-T1-GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET P-CH 20V 2A SOT-363
Serie : TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : P-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 20V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 64 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 8V
Vgs (maks) : ±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : SC-70-6 (SOT-363)
Pakke / sak : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363