Vishay Siliconix - SI7913DN-T1-GE3

KEY Part #: K6522080

SI7913DN-T1-GE3 Priser (USD) [111328stk Lager]

  • 1 pcs$0.33224
  • 3,000 pcs$0.31128

Delnummer:
SI7913DN-T1-GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - likerettere - singel, Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - JFET-er, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - IGBT-er - singel and Tyristorer - TRIAC ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SI7913DN-T1-GE3 electronic components. SI7913DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7913DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7913DN-T1-GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SI7913DN-T1-GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
Serie : TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : 2 P-Channel (Dual)
FET-funksjon : Logic Level Gate
Drenering til kildespenning (Vdss) : 20V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 5A
Rds On (Max) @ Id, vgs : 37 mOhm @ 7.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : -
Kraft - Maks : 1.3W
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / sak : PowerPAK® 1212-8 Dual
Leverandørenhetspakke : PowerPAK® 1212-8 Dual