STMicroelectronics - STD9NM60N

KEY Part #: K6419167

STD9NM60N Priser (USD) [95419stk Lager]

  • 1 pcs$0.41183
  • 2,500 pcs$0.40978

Delnummer:
STD9NM60N
Produsent:
STMicroelectronics
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - SCR, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Dioder - Bridge likerettere, Transistorer - IGBT-er - singel, Transistorer - spesialformål, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - FET, MOSFET - RF and Tyristorer - SCR-er - moduler ...
Konkurransefordel:
We specialize in STMicroelectronics STD9NM60N electronic components. STD9NM60N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD9NM60N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD9NM60N Produktegenskaper

Delnummer : STD9NM60N
Produsent : STMicroelectronics
Beskrivelse : MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
Serie : MDmesh™ II
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 600V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 6.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 745 mOhm @ 3.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 17.4nC @ 10V
Vgs (maks) : ±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 452pF @ 50V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 70W (Tc)
Driftstemperatur : 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : DPAK
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63