Global Power Technologies Group - GSID300A125S5C1

KEY Part #: K6532696

GSID300A125S5C1 Priser (USD) [261stk Lager]

  • 1 pcs$177.14242
  • 10 pcs$168.59058
  • 25 pcs$162.48218

Delnummer:
GSID300A125S5C1
Produsent:
Global Power Technologies Group
Detaljert beskrivelse:
IGBT MODULE 1250V 600A CHASSIS.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioder - Bridge likerettere, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Dioder - RF, Transistorer - programmerbar enhet and Transistorer - FET, MOSFET - RF ...
Konkurransefordel:
We specialize in Global Power Technologies Group GSID300A125S5C1 electronic components. GSID300A125S5C1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GSID300A125S5C1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GSID300A125S5C1 Produktegenskaper

Delnummer : GSID300A125S5C1
Produsent : Global Power Technologies Group
Beskrivelse : IGBT MODULE 1250V 600A CHASSIS
Serie : -
Delstatus : Active
IGBT-type : Trench Field Stop
konfigurasjon : Three Level Inverter
Spenning - Samlebrenningens nedbrytning (maks) : 1250V
Nåværende - Samler (Ic) (Maks) : 600A
Kraft - Maks : 2500W
Vce (på) (Max) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 300A
Nåværende - Collector Cutoff (Max) : 1mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce : 30.8nF @ 25V
Input : Standard
NTC Thermistor : Yes
Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Chassis Mount
Pakke / sak : Module
Leverandørenhetspakke : Module

Du kan også være interessert i
  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A2C35S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.