ON Semiconductor - FDD10N20LZTM

KEY Part #: K6403560

FDD10N20LZTM Priser (USD) [257272stk Lager]

  • 1 pcs$0.14377
  • 2,500 pcs$0.13058

Delnummer:
FDD10N20LZTM
Produsent:
ON Semiconductor
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - programmerbar enhet, Dioder - likerettere - matriser, Tyristorer - TRIAC, Dioder - RF, Power Driver-moduler, Transistorer - JFET-er and Dioder - Bridge likerettere ...
Konkurransefordel:
We specialize in ON Semiconductor FDD10N20LZTM electronic components. FDD10N20LZTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD10N20LZTM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD10N20LZTM Produktegenskaper

Delnummer : FDD10N20LZTM
Produsent : ON Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3
Serie : UniFET™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 200V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 7.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 360 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 585pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 83W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : DPAK
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63