Infineon Technologies - IRFR1018EPBF

KEY Part #: K6408050

IRFR1018EPBF Priser (USD) [762stk Lager]

  • 1 pcs$0.74840
  • 10 pcs$0.66478
  • 100 pcs$0.52530
  • 500 pcs$0.40738
  • 1,000 pcs$0.30423

Delnummer:
IRFR1018EPBF
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 60V 79A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Power Driver-moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel and Tyristorer - SCR ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IRFR1018EPBF electronic components. IRFR1018EPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR1018EPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR1018EPBF Produktegenskaper

Delnummer : IRFR1018EPBF
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 60V 79A DPAK
Serie : HEXFET®
Delstatus : Discontinued at Digi-Key
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 60V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 56A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 69nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 2290pF @ 50V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 110W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : D-Pak
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63