ON Semiconductor - FDP070AN06A0

KEY Part #: K6419109

FDP070AN06A0 Priser (USD) [91746stk Lager]

  • 1 pcs$0.42832
  • 800 pcs$0.42619

Delnummer:
FDP070AN06A0
Produsent:
ON Semiconductor
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - SCR-er - moduler, Dioder - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Tyristorer - SCR, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - IGBT-er - Arrays and Tyristorer - TRIAC ...
Konkurransefordel:
We specialize in ON Semiconductor FDP070AN06A0 electronic components. FDP070AN06A0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDP070AN06A0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDP070AN06A0 Produktegenskaper

Delnummer : FDP070AN06A0
Produsent : ON Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
Serie : PowerTrench®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 60V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 15A (Ta), 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 66nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 3000pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 175W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-220-3
Pakke / sak : TO-220-3