NXP USA Inc. - PH5330E,115

KEY Part #: K6415190

[12496stk Lager]


    Delnummer:
    PH5330E,115
    Produsent:
    NXP USA Inc.
    Detaljert beskrivelse:
    MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    På lager
    Holdbarhet:
    Ett år
    Brikke fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåte:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - TRIAC, Power Driver-moduler, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - JFET-er, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor and Transistorer - IGBT-er - moduler ...
    Konkurransefordel:
    We specialize in NXP USA Inc. PH5330E,115 electronic components. PH5330E,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PH5330E,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PH5330E,115 Produktegenskaper

    Delnummer : PH5330E,115
    Produsent : NXP USA Inc.
    Beskrivelse : MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK
    Serie : TrenchMOS™
    Delstatus : Obsolete
    FET Type : N-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
    Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, vgs : 5.7 mOhm @ 15A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
    Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 5V
    Vgs (maks) : ±20V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 2010pF @ 10V
    FET-funksjon : -
    Effektdissipasjon (maks) : 62.5W (Tc)
    Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Monteringstype : Surface Mount
    Leverandørenhetspakke : LFPAK56, Power-SO8
    Pakke / sak : SC-100, SOT-669