Vishay Siliconix - SI9410BDY-T1-GE3

KEY Part #: K6405963

[1483stk Lager]


    Delnummer:
    SI9410BDY-T1-GE3
    Produsent:
    Vishay Siliconix
    Detaljert beskrivelse:
    MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    På lager
    Holdbarhet:
    Ett år
    Brikke fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåte:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Bridge likerettere, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Power Driver-moduler, Transistorer - JFET-er, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Tyristorer - TRIAC, Transistorer - IGBT-er - singel and Transistorer - FET, MOSFET - RF ...
    Konkurransefordel:
    We specialize in Vishay Siliconix SI9410BDY-T1-GE3 electronic components. SI9410BDY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI9410BDY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI9410BDY-T1-GE3 Produktegenskaper

    Delnummer : SI9410BDY-T1-GE3
    Produsent : Vishay Siliconix
    Beskrivelse : MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SOIC
    Serie : TrenchFET®
    Delstatus : Obsolete
    FET Type : N-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
    Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 6.2A (Ta)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, vgs : 24 mOhm @ 8.1A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V
    Vgs (maks) : ±20V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : -
    FET-funksjon : -
    Effektdissipasjon (maks) : 1.5W (Ta)
    Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Monteringstype : Surface Mount
    Leverandørenhetspakke : 8-SO
    Pakke / sak : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)