Infineon Technologies - IPG20N06S4L14AATMA1

KEY Part #: K6525245

IPG20N06S4L14AATMA1 Priser (USD) [147459stk Lager]

  • 1 pcs$0.25083
  • 5,000 pcs$0.23012

Delnummer:
IPG20N06S4L14AATMA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET 2N-CH 8TDSON.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - spesialformål, Transistorer - FET, MOSFET - En, Dioder - Zener - Singel, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Tyristorer - SCR, Transistorer - JFET-er and Tyristorer - TRIAC ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IPG20N06S4L14AATMA1 electronic components. IPG20N06S4L14AATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPG20N06S4L14AATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPG20N06S4L14AATMA1 Produktegenskaper

Delnummer : IPG20N06S4L14AATMA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET 2N-CH 8TDSON
Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Delstatus : Active
FET Type : 2 N-Channel (Dual)
FET-funksjon : Logic Level Gate
Drenering til kildespenning (Vdss) : 60V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, vgs : 13.7 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 20µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 2890pF @ 25V
Kraft - Maks : 50W
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / sak : 8-PowerVDFN
Leverandørenhetspakke : PG-TDSON-8-10