ON Semiconductor - FDI9406-F085

KEY Part #: K6417663

FDI9406-F085 Priser (USD) [38165stk Lager]

  • 1 pcs$1.02449

Delnummer:
FDI9406-F085
Produsent:
ON Semiconductor
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 40V 110A TO262AB.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - RF, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Tyristorer - SCR, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - IGBT-er - singel, Tyristorer - TRIAC and Dioder - Zener - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in ON Semiconductor FDI9406-F085 electronic components. FDI9406-F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDI9406-F085, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDI9406-F085 Produktegenskaper

Delnummer : FDI9406-F085
Produsent : ON Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET N-CH 40V 110A TO262AB
Serie : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 40V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 110A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 2.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 138nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 7710pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 176W (Tj)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : I2PAK (TO-262)
Pakke / sak : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA