IXYS - IXTY18P10T

KEY Part #: K6395002

IXTY18P10T Priser (USD) [38564stk Lager]

  • 1 pcs$1.18148
  • 70 pcs$1.17560

Delnummer:
IXTY18P10T
Produsent:
IXYS
Detaljert beskrivelse:
MOSFET P-CH 100V 18A TO-252.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Transistorer - FET, MOSFET - En, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Dioder - Bridge likerettere, Transistorer - IGBT-er - singel and Transistorer - IGBT-er - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in IXYS IXTY18P10T electronic components. IXTY18P10T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTY18P10T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTY18P10T Produktegenskaper

Delnummer : IXTY18P10T
Produsent : IXYS
Beskrivelse : MOSFET P-CH 100V 18A TO-252
Serie : TrenchP™
Delstatus : Active
FET Type : P-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 100V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 120 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (maks) : ±15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 2100pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 83W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : TO-252
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63