Vishay Siliconix - IRFR210PBF

KEY Part #: K6404457

IRFR210PBF Priser (USD) [90796stk Lager]

  • 1 pcs$0.44319
  • 10 pcs$0.38632
  • 100 pcs$0.28191
  • 500 pcs$0.20882
  • 1,000 pcs$0.16706

Delnummer:
IRFR210PBF
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Dioder - Bridge likerettere, Dioder - likerettere - matriser, Dioder - Zener - Singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor and Tyristorer - TRIAC ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix IRFR210PBF electronic components. IRFR210PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR210PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR210PBF Produktegenskaper

Delnummer : IRFR210PBF
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 200V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 2.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 8.2nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 140pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : D-Pak
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63