Vishay Siliconix - SQ3418AEEV-T1_GE3

KEY Part #: K6420562

SQ3418AEEV-T1_GE3 Priser (USD) [211203stk Lager]

  • 1 pcs$0.17513
  • 3,000 pcs$0.15329

Delnummer:
SQ3418AEEV-T1_GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CHANNEL 30V 7.8A 6TSOP.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - IGBT-er - singel, Power Driver-moduler, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Dioder - RF and Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SQ3418AEEV-T1_GE3 electronic components. SQ3418AEEV-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ3418AEEV-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ3418AEEV-T1_GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SQ3418AEEV-T1_GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CHANNEL 30V 7.8A 6TSOP
Serie : TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 7.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 35 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 370pF @ 15V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 4W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : 6-TSOP
Pakke / sak : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Du kan også være interessert i