IXYS - IXTQ52P10P

KEY Part #: K6400912

IXTQ52P10P Priser (USD) [16464stk Lager]

  • 1 pcs$2.88218
  • 10 pcs$2.57193
  • 100 pcs$2.10906
  • 500 pcs$1.70784
  • 1,000 pcs$1.44034

Delnummer:
IXTQ52P10P
Produsent:
IXYS
Detaljert beskrivelse:
MOSFET P-CH 100V 52A TO-3P.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Zener - Singel, Dioder - Bridge likerettere, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Dioder - RF, Dioder - likerettere - matriser, Tyristorer - SCR-er - moduler, Transistorer - IGBT-er - Arrays and Dioder - likerettere - singel ...
Konkurransefordel:
We specialize in IXYS IXTQ52P10P electronic components. IXTQ52P10P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTQ52P10P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTQ52P10P Produktegenskaper

Delnummer : IXTQ52P10P
Produsent : IXYS
Beskrivelse : MOSFET P-CH 100V 52A TO-3P
Serie : PolarP™
Delstatus : Active
FET Type : P-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 100V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 52A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 50 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 2845pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 300W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-3P
Pakke / sak : TO-3P-3, SC-65-3