Infineon Technologies - IPD110N12N3GATMA1

KEY Part #: K6419253

IPD110N12N3GATMA1 Priser (USD) [99757stk Lager]

  • 1 pcs$0.39196
  • 2,500 pcs$0.34011

Delnummer:
IPD110N12N3GATMA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Dioder - Zener - Singel, Tyristorer - TRIAC, Tyristorer - SCR-er - moduler, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IPD110N12N3GATMA1 electronic components. IPD110N12N3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD110N12N3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD110N12N3GATMA1 Produktegenskaper

Delnummer : IPD110N12N3GATMA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Serie : OptiMOS™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 120V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 11 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 83µA (Typ)
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 4310pF @ 60V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 136W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PG-TO252-3
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63