Vishay Siliconix - SISH434DN-T1-GE3

KEY Part #: K6393435

SISH434DN-T1-GE3 Priser (USD) [168713stk Lager]

  • 1 pcs$0.21923

Delnummer:
SISH434DN-T1-GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - likerettere - singel, Transistorer - FET, MOSFET - En, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - IGBT-er - moduler, Dioder - likerettere - matriser, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel and Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SISH434DN-T1-GE3 electronic components. SISH434DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISH434DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISH434DN-T1-GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SISH434DN-T1-GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH
Serie : TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 40V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 17.6A (Ta), 35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 7.6 mOhm @ 16.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1530pF @ 20V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PowerPAK® 1212-8SH
Pakke / sak : PowerPAK® 1212-8SH