Infineon Technologies - IPB160N04S4H1ATMA1

KEY Part #: K6402046

IPB160N04S4H1ATMA1 Priser (USD) [82489stk Lager]

  • 1 pcs$0.47401
  • 1,000 pcs$0.43487

Delnummer:
IPB160N04S4H1ATMA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - likerettere - matriser, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Transistorer - spesialformål, Dioder - Zener - Arrays, Tyristorer - SCR, Dioder - Zener - Singel, Dioder - Bridge likerettere and Transistorer - IGBT-er - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IPB160N04S4H1ATMA1 electronic components. IPB160N04S4H1ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB160N04S4H1ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB160N04S4H1ATMA1 Produktegenskaper

Delnummer : IPB160N04S4H1ATMA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Serie : OptiMOS™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 40V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 160A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 1.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 110µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 137nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 10920pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 167W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PG-TO263-7-3
Pakke / sak : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Du kan også være interessert i
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.