Nexperia USA Inc. - PHB21N06LT,118

KEY Part #: K6399298

PHB21N06LT,118 Priser (USD) [244627stk Lager]

  • 1 pcs$0.15196
  • 800 pcs$0.15120

Delnummer:
PHB21N06LT,118
Produsent:
Nexperia USA Inc.
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 55V 19A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - FET, MOSFET - En, Tyristorer - SCR-er - moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Dioder - likerettere - matriser, Dioder - likerettere - singel, Dioder - Zener - Singel and Transistorer - FET, MOSFET - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in Nexperia USA Inc. PHB21N06LT,118 electronic components. PHB21N06LT,118 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PHB21N06LT,118, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PHB21N06LT,118 Produktegenskaper

Delnummer : PHB21N06LT,118
Produsent : Nexperia USA Inc.
Beskrivelse : MOSFET N-CH 55V 19A D2PAK
Serie : TrenchMOS™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 55V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 70 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 9.4nC @ 5V
Vgs (maks) : ±15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 650pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 56W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : D2PAK
Pakke / sak : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB