EPC - EPC2010C

KEY Part #: K6416785

Familiekategorier:: KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - IGBT-er - singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Dioder - likerettere - matriser, Transistorer - JFET-er, Dioder - likerettere - singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - FET, MOSFET - RF and Transistorer - spesialformål ...

Konkurransefordel:: We specialize in EPC EPC2010C electronic components. EPC2010C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2010C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Delnummer : EPC2010C

Produsent : EPC

Beskrivelse : GANFET TRANS 200V 22A BUMPED DIE

Serie : eGaN®

Delstatus : Active

FET Type : N-Channel

Teknologi : GaNFET (Gallium Nitride)

Drenering til kildespenning (Vdss) : 200V

Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 22A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V

Rds On (Max) @ Id, vgs : 25 mOhm @ 12A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 3mA

Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 5.3nC @ 5V

Vgs (maks) : +6V, -4V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 540pF @ 100V

FET-funksjon : -

Effektdissipasjon (maks) : -

Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype : Surface Mount

Leverandørenhetspakke : Die Outline (7-Solder Bar)

Pakke / sak : Die

Du kan også være interessert i