Infineon Technologies - IPP120N20NFDAKSA1

KEY Part #: K6400456

IPP120N20NFDAKSA1 Priser (USD) [13227stk Lager]

  • 1 pcs$2.99235
  • 10 pcs$2.67152
  • 100 pcs$2.19076
  • 500 pcs$1.77400
  • 1,000 pcs$1.49615

Delnummer:
IPP120N20NFDAKSA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 200V 84A TO220.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Dioder - Zener - Singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - IGBT-er - moduler, Dioder - Zener - Arrays and Tyristorer - TRIAC ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IPP120N20NFDAKSA1 electronic components. IPP120N20NFDAKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP120N20NFDAKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP120N20NFDAKSA1 Produktegenskaper

Delnummer : IPP120N20NFDAKSA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 200V 84A TO220
Serie : OptiMOS™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 200V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 84A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 12 mOhm @ 84A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 270µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 87nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 6650pF @ 100V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 300W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : PG-TO220-3
Pakke / sak : TO-220-3