IXYS - IXTD1R4N60P 11

KEY Part #: K6400924

[3229stk Lager]


    Delnummer:
    IXTD1R4N60P 11
    Produsent:
    IXYS
    Detaljert beskrivelse:
    MOSFET N-CH 600V.
    Manufacturer's standard lead time:
    På lager
    Holdbarhet:
    Ett år
    Brikke fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåte:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - RF, Dioder - likerettere - matriser, Transistorer - IGBT-er - singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - programmerbar enhet, Tyristorer - SCR and Dioder - likerettere - singel ...
    Konkurransefordel:
    We specialize in IXYS IXTD1R4N60P 11 electronic components. IXTD1R4N60P 11 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTD1R4N60P 11, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXTD1R4N60P 11 Produktegenskaper

    Delnummer : IXTD1R4N60P 11
    Produsent : IXYS
    Beskrivelse : MOSFET N-CH 600V
    Serie : PolarHV™
    Delstatus : Obsolete
    FET Type : N-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenering til kildespenning (Vdss) : 600V
    Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 1.4A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, vgs : 9 Ohm @ 700mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 25µA
    Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 5.2nC @ 10V
    Vgs (maks) : ±30V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 140pF @ 25V
    FET-funksjon : -
    Effektdissipasjon (maks) : 50W (Tc)
    Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Monteringstype : Surface Mount
    Leverandørenhetspakke : Die
    Pakke / sak : Die