ON Semiconductor - FDB110N15A

KEY Part #: K6396039

FDB110N15A Priser (USD) [47232stk Lager]

  • 1 pcs$0.83198
  • 800 pcs$0.82784

Delnummer:
FDB110N15A
Produsent:
ON Semiconductor
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Zener - Singel, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Tyristorer - SCR, Tyristorer - SCR-er - moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors) and Transistorer - Bipolar (BJT) - RF ...
Konkurransefordel:
We specialize in ON Semiconductor FDB110N15A electronic components. FDB110N15A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB110N15A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDB110N15A Produktegenskaper

Delnummer : FDB110N15A
Produsent : ON Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
Serie : PowerTrench®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 150V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 92A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 11 mOhm @ 92A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 61nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 4510pF @ 75V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 234W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : D²PAK
Pakke / sak : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB