Vishay Siliconix - SIHD5N50D-E3

KEY Part #: K6393540

SIHD5N50D-E3 Priser (USD) [159197stk Lager]

  • 1 pcs$0.23234
  • 3,000 pcs$0.21817

Delnummer:
SIHD5N50D-E3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Tyristorer - TRIAC, Dioder - Zener - Arrays, Tyristorer - SCR-er - moduler and Dioder - likerettere - matriser ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SIHD5N50D-E3 electronic components. SIHD5N50D-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHD5N50D-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHD5N50D-E3 Produktegenskaper

Delnummer : SIHD5N50D-E3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 500V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 5.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 325pF @ 100V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 104W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : D-PAK (TO-252AA)
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63