Infineon Technologies - IRF520NSTRLPBF

KEY Part #: K6401002

IRF520NSTRLPBF Priser (USD) [134931stk Lager]

  • 1 pcs$0.27412
  • 800 pcs$0.23832

Delnummer:
IRF520NSTRLPBF
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - FET, MOSFET - En, Transistorer - IGBT-er - singel, Dioder - RF, Dioder - Zener - Singel, Transistorer - FET, MOSFET - RF and Transistorer - spesialformål ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IRF520NSTRLPBF electronic components. IRF520NSTRLPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF520NSTRLPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF520NSTRLPBF Produktegenskaper

Delnummer : IRF520NSTRLPBF
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Serie : HEXFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 100V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 9.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 200 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : D2PAK
Pakke / sak : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Du kan også være interessert i