Hvis plasseringen din ikke er oppført, kan du velge ett av følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Hvis plasseringen din ikke er oppført, kan du velge ett av følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hjem
  2. Produkter
  3. Diskrete halvlederprodukter
  4. Transistorer - FET, MOSFET - En
  5. GA10JT12-263

GeneSiC Semiconductor - GA10JT12-263

KEY Part #: K6399113

GA10JT12-263 Priser (USD) [4640stk Lager]

  • 1 pcs$10.16943
  • 10 pcs$9.24469
  • 25 pcs$8.55122
  • 100 pcs$7.47449
  • 250 pcs$6.81498
Delnummer:
GA10JT12-263
Produsent:
GeneSiC Semiconductor
Detaljert beskrivelse:
TRANS SJT 1200V 25A.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Power Driver-moduler, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - spesialformål, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays and Dioder - RF ...
Konkurransefordel:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263 electronic components. GA10JT12-263 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA10JT12-263, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA10JT12-263 Produktegenskaper

Delnummer : GA10JT12-263
Produsent : GeneSiC Semiconductor
Beskrivelse : TRANS SJT 1200V 25A
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : -
Teknologi : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 1200V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, vgs : 120 mOhm @ 10A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (maks) : -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1403pF @ 800V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 170W (Tc)
Driftstemperatur : 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : -
Pakke / sak : -
Du kan også være interessert i
  • VN2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

  • TN0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3.

  • VN2410L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.

  • VN1206L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3.

  • VN10KN3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3.

Varme deler