Infineon Technologies - FD200R12PT4B6BOSA1

KEY Part #: K6532750

FD200R12PT4B6BOSA1 Priser (USD) [505stk Lager]

  • 1 pcs$91.86184

Delnummer:
FD200R12PT4B6BOSA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
IGBT MODULE VCES 1200V 200A.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - spesialformål, Transistorer - FET, MOSFET - En, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Tyristorer - SCR, Dioder - Bridge likerettere, Dioder - likerettere - singel and Transistorer - Bipolar (BJT) - RF ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies FD200R12PT4B6BOSA1 electronic components. FD200R12PT4B6BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FD200R12PT4B6BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FD200R12PT4B6BOSA1 Produktegenskaper

Delnummer : FD200R12PT4B6BOSA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Serie : -
Delstatus : Active
IGBT-type : Trench Field Stop
konfigurasjon : Three Phase Inverter
Spenning - Samlebrenningens nedbrytning (maks) : 1200V
Nåværende - Samler (Ic) (Maks) : 300A
Kraft - Maks : 1100W
Vce (på) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 200A
Nåværende - Collector Cutoff (Max) : 15µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce : 12.5nF @ 25V
Input : Standard
NTC Thermistor : Yes
Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C
Monteringstype : Chassis Mount
Pakke / sak : Module
Leverandørenhetspakke : Module

Du kan også være interessert i
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT