Diodes Incorporated - DMG2302UQ-13

KEY Part #: K6402324

DMG2302UQ-13 Priser (USD) [2743stk Lager]

  • 10,000 pcs$0.05488

Delnummer:
DMG2302UQ-13
Produsent:
Diodes Incorporated
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Power Driver-moduler, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Tyristorer - SCR, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - FET, MOSFET - RF and Transistorer - JFET-er ...
Konkurransefordel:
We specialize in Diodes Incorporated DMG2302UQ-13 electronic components. DMG2302UQ-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG2302UQ-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG2302UQ-13 Produktegenskaper

Delnummer : DMG2302UQ-13
Produsent : Diodes Incorporated
Beskrivelse : MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 20V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 4.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 90 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 50µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 4.5V
Vgs (maks) : ±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 594.3pF @ 10V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 800mW (Ta)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : SOT-23-3
Pakke / sak : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3