Microchip Technology - LND150N3-G

KEY Part #: K6401247

LND150N3-G Priser (USD) [203307stk Lager]

  • 1 pcs$0.18588
  • 25 pcs$0.15788
  • 100 pcs$0.14535

Delnummer:
LND150N3-G
Produsent:
Microchip Technology
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - SCR, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Dioder - Zener - Arrays, Dioder - likerettere - singel, Dioder - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - spesialformål and Transistorer - IGBT-er - singel ...
Konkurransefordel:
We specialize in Microchip Technology LND150N3-G electronic components. LND150N3-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for LND150N3-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

LND150N3-G Produktegenskaper

Delnummer : LND150N3-G
Produsent : Microchip Technology
Beskrivelse : MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 500V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 30mA (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 0V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 1000 Ohm @ 500µA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 10pF @ 25V
FET-funksjon : Depletion Mode
Effektdissipasjon (maks) : 740mW (Ta)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-92-3
Pakke / sak : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)