Vishay Siliconix - IRFIBC30GPBF

KEY Part #: K6401282

IRFIBC30GPBF Priser (USD) [28338stk Lager]

  • 1 pcs$1.41024
  • 10 pcs$1.26040
  • 100 pcs$0.98053
  • 500 pcs$0.79399
  • 1,000 pcs$0.66963

Delnummer:
IRFIBC30GPBF
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - SCR, Dioder - likerettere - singel, Dioder - Zener - Singel, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Power Driver-moduler and Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix IRFIBC30GPBF electronic components. IRFIBC30GPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFIBC30GPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFIBC30GPBF Produktegenskaper

Delnummer : IRFIBC30GPBF
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 600V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 2.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 2.2 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 35W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-220-3
Pakke / sak : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab