ON Semiconductor - FQP13N10L

KEY Part #: K6415967

FQP13N10L Priser (USD) [72496stk Lager]

  • 1 pcs$0.44319
  • 10 pcs$0.38883
  • 100 pcs$0.28369
  • 500 pcs$0.21013
  • 1,000 pcs$0.16810

Delnummer:
FQP13N10L
Produsent:
ON Semiconductor
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - TRIAC, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - programmerbar enhet, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Tyristorer - SCR and Dioder - likerettere - matriser ...
Konkurransefordel:
We specialize in ON Semiconductor FQP13N10L electronic components. FQP13N10L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQP13N10L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQP13N10L Produktegenskaper

Delnummer : FQP13N10L
Produsent : ON Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
Serie : QFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 100V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 12.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 180 mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 5V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 520pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 65W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-220-3
Pakke / sak : TO-220-3