Vishay Siliconix - SQJ946EP-T1_GE3

KEY Part #: K6525390

SQJ946EP-T1_GE3 Priser (USD) [258674stk Lager]

  • 1 pcs$0.14299
  • 3,000 pcs$0.12112

Delnummer:
SQJ946EP-T1_GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - FET, MOSFET - En, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Dioder - Bridge likerettere and Power Driver-moduler ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SQJ946EP-T1_GE3 electronic components. SQJ946EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ946EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ946EP-T1_GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SQJ946EP-T1_GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : 2 N-Channel (Dual)
FET-funksjon : Standard
Drenering til kildespenning (Vdss) : 40V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, vgs : 33 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 600pF @ 25V
Kraft - Maks : 27W
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / sak : PowerPAK® SO-8 Dual
Leverandørenhetspakke : PowerPAK® SO-8 Dual