Infineon Technologies - IPP80N06S2L11AKSA2

KEY Part #: K6419119

IPP80N06S2L11AKSA2 Priser (USD) [92356stk Lager]

  • 1 pcs$0.42337
  • 500 pcs$0.31741

Delnummer:
IPP80N06S2L11AKSA2
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - FET, MOSFET - En, Transistorer - spesialformål, Tyristorer - SCR-er - moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Tyristorer - TRIAC, Dioder - likerettere - matriser, Dioder - likerettere - singel and Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors) ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IPP80N06S2L11AKSA2 electronic components. IPP80N06S2L11AKSA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP80N06S2L11AKSA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP80N06S2L11AKSA2 Produktegenskaper

Delnummer : IPP80N06S2L11AKSA2
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Serie : OptiMOS™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 55V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 10.7 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 93µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 2075pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 158W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : PG-TO220-3-1
Pakke / sak : TO-220-3